[发明专利]漂浮节点具有可变电容的源像像素及图像传感器有效

专利信息
申请号: 201410256452.6 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN104022133B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 郭同辉;旷章曲;唐冕 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 代理人: 郑立明,赵镇勇
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种漂浮节点具有可变电容的源像像素及图像传感器,有源像素包括置于半导体基体中的感光元件、位于感光元件与漂浮节点之间的传输晶体管、连接漂浮节点的复位晶体管、连接漂浮节点的源跟随晶体管及开关晶体管和列位线,漂浮节点的有源区包括N型重掺杂有源区和N型轻掺杂有源区,N型重掺杂有源区和N型轻掺杂有源区均位于P阱内,并且N型轻掺杂有源区的一侧面与N型重掺杂有源区相接触,提高了图像传感器的动态范围,同时也增大了信噪比。
搜索关键词: 漂浮 节点 具有 可变电容 像素 图像传感器
【主权项】:
一种有源像素,包括置于半导体基体中的感光元件、位于感光元件与漂浮节点之间的传输晶体管、连接漂浮节点的复位晶体管、连接漂浮节点的源跟随晶体管及开关晶体管和列位线,其特征在于,所述漂浮节点的有源区包括N型重掺杂有源区和N型轻掺杂有源区,所述N型重掺杂有源区和N型轻掺杂有源区均位于P阱内,并且所述N型轻掺杂有源区的一侧面与所述N型重掺杂有源区相接触;所述N型轻掺杂有源区包括设于表面的P型硅,所述P型硅为重掺杂区,所述P型硅下方为N型轻掺杂区,所述N型轻掺杂区的完全耗尽电势高于所述感光元件的完全耗尽电势,并且低于所述N型重掺杂有源区的复位电势。
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