[发明专利]一种太阳能电池的制作方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池的制作方法，将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除后再进行沉积氮化硅膜；将沉积氮化硅膜后的硅片进行高温退火；再依次采用丝印正反面电极和背铝、烧结。该方法可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，同时高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高，可使短路电流密度提高0.05-1mA/cm²，开路电压提高1-5mV，转化效率提高0.05-0.25%；另外，本发明制备的电池片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生产实践价值，增强企业的竞争力。

主权项

一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤包括：（1）将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除；（2）将步骤（1）所得硅片进行沉积氮化硅膜；（3）将步骤（2）所得硅片进行高温退火；（4）将步骤（3）所得硅片再依次采用丝印正反面电极和背铝、烧结。