[发明专利]一种太阳能电池的制作方法在审
| 申请号： | 201410251453.1 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104051570A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 任现坤;姜言森;贾河顺;马继磊;张春艳;徐振华;王光利;尹兰超;黄国强 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 于晓晓 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤包括：
（1）将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除；
（2）将步骤（1）所得硅片进行沉积氮化硅膜；
（3）将步骤（2）所得硅片进行高温退火；
（4）将步骤（3）所得硅片再依次采用丝印正反面电极和背铝、烧结。
2. 根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（2）中沉积的氮化硅膜膜厚1-10000nm。
3. 根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（2）中沉积的氮化硅膜膜厚80-2000nm。
4. 根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（3）中所述的高温退火是将沉积氮化硅薄膜后的硅片放入退火炉中，通入保护气，保持温度300-1000℃，时间5-60min。
5. 根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（3）中所述的高温退火是将沉积氮化硅薄膜后的硅片放入退火炉中，通入保护气，保持温度500-850℃，时间10-50min。
6. 根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（3）中所述的高温退火是将沉积氮化硅薄膜后的硅片放入退火炉中，通入保护气，保持温度700-800℃，时间15-35min。
7. 根据权利要求6所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的保护气为氢气。
8. 根据权利要求6所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的保护气为氨气。
9. 根据权利要求6所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的保护气为硅烷。
10. 根据权利要求6所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的保护气为氮气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
