[发明专利]一种肖特基势垒器件及其制作方法有效
申请号: | 201410251164.1 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN103985767A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 洪旭峰 | 申请(专利权)人: | 上海芯石微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L21/328 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201102 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种肖特基势垒器件及其制造方法;该肖特基势垒器件具有掺氧肖特基势垒区(O-M-Si),较传统的肖特基器件具有低的势垒高度,同等面积下,具有低的正向饱和压降(VF)。 | ||
搜索关键词: | 一种 肖特基势垒 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种肖特基势垒器件,其特征在于:势垒层(O‑M‑Si),为掺氧金属硅化物形成的势垒结。
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