[发明专利]一种锗n+/p浅结的制备方法

摘要

一种锗n⁺/p浅结的制备方法，涉及半导体器件。在p型Ge衬底上生长SiO₂层；在制备好的SiO₂/p-Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去掉p-Ge表面SiO₂层；将处理后的样品清洗后，退火处理，再放入充满氮气的透明玻璃器皿中，进行单脉冲激光退火，得锗n⁺/p浅结。采用离子注入的方式作为Ge中n型掺杂的杂质来源，结合低温预退火和激光退火激活杂质形成浅结，不受杂质在Ge中固溶度的限制，激活浓度理论可达10²⁰cm^-3以上，且激光退火时间短，容易在Ge中形成浅结，在低温预退火过程既可部分修复由离子注入所带来的晶体损伤，又不会导致杂质的扩散，还可压制杂质在激光退火过程中的扩散。

主权项

一种锗n⁺/p浅结的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在p型Ge衬底上生长SiO₂层；2)在步骤1)中制备好的SiO₂/p‑Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去掉p‑Ge表面SiO₂层；3)将步骤2)处理后的样品清洗后，退火处理，再放入充满氮气的透明玻璃器皿中，进行单脉冲激光退火，得锗n⁺/p浅结。