[发明专利]半导体功率元件在审
| 申请号： | 201410227870.2 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105280694A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 杨亚谕;林恒光 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司;广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体功率元件，包含一基板、一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层、一源极电极、一背向电极以及一P型金属氧化层。第一半导体层具有一第一能隙，且位于基板上方；第二半导体层具有一第二能隙大于第一能隙，且位于第一半导体层上方；第三半导体层具有一第三能隙小于第二能隙，且位于第二半导体层上方；源极电极位于第三半导体层上方；背向电极电连接源极电极；P型金属氧化层位于背向电极以及第三半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体功率元件，包含：基板；第一半导体层，具有第一能隙，且位于该基板上方；第二半导体层，具有第二能隙，大于该第一能隙且位于该第一半导体层上方；第三半导体层，具有第三能隙，小于该第二能隙且位于该第二半导体层上方；源极电极，位于该第三半导体层上方；一背向电极，电连接该源极电极；以及p型金属氧化层，位于该背向电极以及该第三半导体层之间。
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