[发明专利]具有辐射屏蔽的半导体探测器有效
| 申请号： | 201410225306.7 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104215996B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | H·安德森;P·科斯塔莫;V·卡玛莱南;S·南诺南 | 申请（专利权）人： | 牛津仪器科技公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L27/144;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张臻贤 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及具有辐射屏蔽的半导体探测器。一种半导体辐射探测器包括半导体材料的主体层。在所述主体层的第一侧上为场电极以及用于从所述主体层收集辐射诱发的信号电荷的收集电极的布置。辐射屏蔽存在于所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上，该辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辐射 屏蔽 半导体 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体辐射探测器，包括：‑半导体材料的主体层；‑在所述主体层的第一侧上的场电极和用于从所述主体层收集辐射诱发的信号电荷的收集电极的布置，以及‑在所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上的辐射屏蔽，所述辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠，使得其屏蔽效应延伸到最近的场电极并且不从所述收集电极进一步延伸到最近的场电极之外。
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