[发明专利]横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410224706.6 | 申请日： | 2005-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103972294A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 林正基;苏醒;朱建文;连士进;叶清本 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管,包括衬底、第一阱区、漏极区、第二阱区以及源极区。衬底具有第一导电型杂质，具有第二导电型杂质的第一阱区，位于部分衬底中。漏极区位于第一阱区中。具有第一导电型杂质的第二阱区，位于部分衬底中。源极区位于第二阱区中，源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区，都由衬底的上表面向下延伸，轻掺杂源极区的深度大于重掺杂源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 双重 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管，其包括：一衬底，具有一第一导电型杂质；一具有第二导电型杂质的一第一阱区，位于部分该衬底中；一漏极区，位于该第一阱区中；具有第一导电型杂质的一第二阱区，位于部分该衬底中；一源极区，位于该第二阱区中，该源极区包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区，都由该衬底的一上表面向下延伸，该轻掺杂源极区的深度大于该重掺杂源极区；多个场氧化层，都形成于该衬底上，所述多个场氧化层其中的一第一场氧化层以及一第二场氧化层位于该第一阱区，所述多个场氧化层其中的一第三场氧化层位于该第二阱区，其中，该轻掺杂源极区接触该第三场氧化层并隔开该第三场氧化层与该重掺杂源极区，且一杂质阱通过该第三场氧化层与该源极区隔开；以及一栅极结构，设置在部分该衬底上以及部分该第二场氧化层上，该栅极结构包括一栅极，该轻掺杂源极区位于该栅极在该衬底上的投影范围外。
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