[发明专利]应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法有效
| 申请号： | 201410216683.4 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103972052B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;朱陆君;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，包括第一步骤，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；第二步骤，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头；第三步骤，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。在第三步骤之后，将晶圆在特定工艺站点进行处理。在第一步骤中，可以将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。通过应用本发明，可以有效地预防线状缺陷的发生，为大批量晶圆生成提供良率保障。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 扫描 预防 线状 分布 缺陷 发生 方法 | ||
【主权项】：
一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其特征在于包括：第一步骤，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；第二步骤，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头，所述缺陷源头包括晶圆表面的划伤和/或粘污；第三步骤，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
