[发明专利]一种超高速脉冲晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410213047.6 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105097908A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张桥;刘小俐;颜家圣;周霖;肖彦;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明的名称为一种超高速脉冲晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快开通晶闸管器件的二级放大门级结构不能满足强触发、超高浪涌电流要求的问题。它的主要特征是：由下封接件、下钼片、硅片、上钼片、上封接件、门极组件封装而成；在所述的阳极区与长基区之间增加N缓冲层区，使硅片为P+NN-PN+五层三端结构；所述的阳极区为透明阳极区；所述的阴极为多元胞并联阴极结构，元胞间的短基区表面设有钝化层；所述的门极为深槽结构；阴极界面处VKG为18-23V，同片元胞VKG之间差值小于1V。本发明具有高di/dt耐量、高频可重复性、高电压、大电流、低压降和一定关断能力的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率激光器等装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高速 脉冲 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超高速脉冲晶闸管，由下封接件（1）、下钼片（2）、硅片（3）、上钼片（4）、上封接件（5）、门极组件（6）封装而成；该硅片（3）包括阳极区（41）、长基区（43）、短基区（44）和阴极区（45）四层结构，以及阳极（A）、阴极（K）和门极（G）三个端子；其特征在于：在所述的阳极区（41）与长基区（43）之间增加N缓冲层区（42），使硅片为P+NN‑PN+五层三端结构；所述的阳极区（41）为透明阳极区；所述的阴极（K）为多元胞并联阴极结构，元胞间的短基区（44）表面设有钝化层；所述的门极（G）为深槽结构。
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