[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201410202122.9 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097401B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张彦召;佘清;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环，在法拉第屏蔽环上设置有开缝，法拉第屏蔽环和绝缘环均套置在反应腔室的侧壁内侧，且法拉第屏蔽环叠置在绝缘环上，在绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环，遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接，遮蔽环上设置有开缝，且遮蔽环采用不导磁的材料制成，并且，遮蔽环的外周壁与绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。该反应腔室，不仅可以避免降低打火风险，而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染；另外，可以增大反应腔室的内径和可利用控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环，在所述法拉第屏蔽环上设置有开缝，所述法拉第屏蔽环和所述绝缘环均套置在所述反应腔室的侧壁内侧，且所述法拉第屏蔽环叠置在所述绝缘环上，其特征在于，在所述绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环，所述遮蔽环与所述法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接，所述遮蔽环上设置有开缝，且所述遮蔽环采用不导磁的材料制成，并且，所述遮蔽环的外周壁与所述绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。
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