[发明专利]一种CdS半导体光催化剂的制备方法及制得产品的应用无效

专利信息
申请号: 201410198686.X 申请日: 2014-05-13
公开(公告)号: CN103950968A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 余旺旺 申请(专利权)人: 南京工业职业技术学院
主分类号: C01G11/02 分类号: C01G11/02;B01J27/04;C02F1/30;C01B3/04
代理公司: 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 代理人: 陈扬
地址: 210016 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了CdS半导体光催化剂的制备方法及制得产品的应用,制备方法为:在20-30℃条件下,将硫化氢和强酸混合,剧烈搅拌,反应3-20h,得到硫化氢的强酸溶液;将镉盐溶液逐滴加入到所述硫化氢的强酸溶液于20-30℃反应0.5-20h,经过滤、水洗涤、过滤、干燥等处理工艺,得到CdS粉体;将CdS粉体在氮气保护下进行热处理,然后产物经研磨、酸洗涤、水洗涤、过滤、干燥等处理工艺,得到CdS半导体光催化剂。该方法提高了CdS的分散效果,缩短了CdS颗粒之间的传递距离,减缓CdS表面的光腐蚀速率,提高了CdS的光催化活性。CdS半导体光催化剂应用在有机污染物降解方面,具有更优异的光催化降解活性。
搜索关键词: 一种 cds 半导体 光催化剂 制备 方法 产品 应用
【主权项】:
一种CdS半导体光催化剂的制备方法,其特征在于该制备方法如下:(1)在20‑30℃条件下,将硫化氢和强酸混合,剧烈搅拌,反应3‑20h,得到硫化氢的强酸溶液;(2)将镉盐溶液逐滴加入到所述硫化氢的强酸溶液于20‑30 ℃反应0.5‑20 h,经过滤、水洗涤、过滤、干燥处理,得到CdS粉体;(3)将CdS粉体在氮气保护下进行热处理,热处理的方法为:200℃~250℃热处理3 h~10 h,300 ℃~350 ℃焙烧3 h~10 h,400 ℃~450 ℃下焙烧3 h~10 h,450 ℃~500 ℃下焙烧3 h~10 h;然后产物经研磨、酸洗涤、水洗涤、过滤、干燥处理,得到CdS半导体光催化剂。
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