[发明专利]用于识别超浅结的结深度的方法和系统

摘要

本发明提供了用于识别超浅结的结深度的方法和系统。提供了用于通过照射材料和测量电压识别半导体和其他材料中的材料结和掺杂特性的方法。建立了材料中的光的穿透深度和光的波长之间的相关性。将光子施加至诸如半导体材料的材料以感应电荷。通过将材料暴露于具有一定波长范围的光施加光子。感应的电荷产生可测量电压。测量电压，且使用电压测量值以使用光的穿透深度和光的波长之间的相关性来确定材料的结深度和电荷浓度。

主权项

一种用于识别材料中的结深度的测量方法，所述方法包括：在第一光照射工艺中，建立光的波长和所述光在材料中的穿透深度之间的第一相关性；提供所述材料的层，所述材料的层具有位于其表面下方的结；在进一步的光照射工艺中，引导光从照射源穿过所述表面进入所述材料的层内，所述光包括选定波长范围内的光；在所述进一步的光照射工艺中，测量由所述光感应的电压作为所述光的波长的函数，从而建立所测量的电压和来自所述照射源的光的波长之间的第二相关性；以及基于所述第二相关性，识别位于所述表面下方的所述结的深度。