[发明专利]一种MEMS传感器封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201410183524.9 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN103950886A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 薛旭;郭士超 申请(专利权)人: 中国科学院地质与地球物理研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;G01P15/125
代理公司: 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人: 林建军
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种MEMS传感器封装结构及其封装方法,其用于封装MEMS传感器,其特征在于,包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘;所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接,所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上,所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接;所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构;一侧壁和顶盖,皆由可伐合金制成。本发明通过选择使用与MEMS传感器材料热膨胀系数接近的陶瓷基座作为封装材料,降低了基座膨胀应力对MEMS传感器的影响,同时利用陶瓷基座实现至少一层垂直互联,可在较小面积内实现MEMS传感器与外围电路的系统级集成,实现高密度系统级封装,实现MEMS传感器的封装灵活性和可拓展性。
搜索关键词: 一种 mems 传感器 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种MEMS传感器封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘;所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接,所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上,所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接;所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构;一侧壁,由可伐合金制成,所述侧壁位于所述陶瓷基座上,与所述陶瓷基座连接;一顶盖,由可伐合金制成,所述顶盖与所述侧壁连接。
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