[发明专利]薄膜电阻器制法有效
| 申请号： | 201410177963.9 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104900358B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王高源;陈惠如;庄乃川 | 申请（专利权）人： | 华新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/075 | 分类号： | H01C17/075;H01C17/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 梁挥,常大军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜电阻器制法，于一基板上依序形成电极图案及覆盖一电阻层之后，以镀膜方式在该电阻层上覆盖图案化完成的一无机保护层，并以该无机保护层作为蚀刻该电阻层时的遮罩，经蚀刻完成后，该无机保护层不需移除而保留覆盖在该电阻层的上方，当一有机保护层再形成于该无机保护层上方后，该电阻层上方形成双层式的保护结构，提高保护效果，防止该电阻层因外界环境因素所导致的电阻值改变问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 制法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电阻器制法，其特征在于，包含：于一绝缘的基板的上表面形成上电极；全面薄膜沉积形成一电阻层于该基板的上表面；于该电阻层上覆盖一遮罩层，该遮罩层具有预设图案以显露出部分的电阻层；于该遮罩层及显露出的电阻层上全面覆盖一无机保护层；移除该遮罩层，令位于该遮罩层上的无机保护层一并移除，其中，未移除的无机保护层覆盖在原显露出的电阻层上；蚀刻该电阻层，以该无机保护层作为一蚀刻遮罩，去除未以无机保护层覆盖的电阻层；形成有机保护层，在该无机保护层上完整覆盖一有机保护层。
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