[发明专利]薄膜电阻器制法

权利要求书

1.一种薄膜电阻器制法，其特征在于，包含：

于一绝缘的基板的上表面形成上电极；

全面薄膜沉积形成一电阻层于该基板的上表面；

于该电阻层上覆盖一遮罩层，该遮罩层具有预设图案以显露出部分的电阻层；

于该遮罩层及显露出的电阻层上全面覆盖一无机保护层；

移除该遮罩层，令位于该遮罩层上的无机保护层一并移除，其中，未移除的无机保护层覆盖在原显露出的电阻层上；

蚀刻该电阻层，以该无机保护层作为一蚀刻遮罩，去除未以无机保护层覆盖的电阻层；

形成有机保护层，在该无机保护层上完整覆盖一有机保护层。

2.根据权利要求1所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，在蚀刻电阻层与形成有机保护层步骤之间，进一步包含：

修整该电阻层，使该电阻层具有一预设电阻值。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，在该基板的下表面形成有下电极。

4.根据权利要求3所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，该无机保护层以真空镀膜方式形成。

5.根据权利要求3所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，该无机保护层以热辅助蒸发法、电子束辅助蒸发法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法、等离子增强式化学气相沉积法、或物理气相沉积溅射法形成。

6.根据权利要求3所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，该电阻层以薄膜沉积法形成于该基板上。

7.根据权利要求6所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，形成该电阻层的薄膜沉积法包含热辅助蒸发法、电子束辅助蒸发法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法、等离子增强式化学气相沉积法、或物理气相沉积溅射法。

8.根据权利要求2所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，在修整该电阻层的步骤中，是以能量射束对该电阻层进行修整。

9.根据权利要求1所述的薄膜电阻器制法，其特征在于，该无机保护层的材料选自金属氧化物、半导体氧化物或半导体氮化物；该有机保护层的材料为环氧密封材料。