[发明专利]一种有源区制备方法

摘要

本发明提供了一种有源区制备方法和半导体器件的制备方法，包括：首先，对晶圆的边缘区域进行等离子体处理，去除边缘区域的光刻胶和/或底部抗反射层的残留；然后，采用底部抗反射层相对于其下层薄膜的刻蚀选择比高的气体来刻蚀底部抗反射层，这样，确保了后续过程中晶圆的边缘区域和图案区域具有相同的薄膜厚度，从而在后续接触孔制备工艺中形成厚度均匀的氧化膜；本发明还对处理边缘区域的反应气体作了改进，从而避免了现有工艺容易造成图案区域关键尺寸缩小的弊端，因此，采用本发明的方法，能够避免接触孔制备工艺中粘合层剥离问题的发生，从而提高器件的质量。

主权项

一种有源区制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01：在晶圆上进行薄膜沉积；步骤S02：在所述沉积的薄膜表面依次涂覆底部抗反射层和光刻胶，采用光刻工艺，图案化光刻胶；步骤S03：对所述晶圆的边缘区域进行等离子体处理，去除所述边缘区域的光刻胶和/或底部抗反射层的残留；所述边缘区域为所述晶圆的外边缘向中心偏移0.5‑1.7mm的区域以及所述晶圆外边缘的侧面；步骤S04：以图案化的所述光刻胶为模版，采用所述底部抗反射层相对于其下层薄膜的刻蚀选择比高的气体来刻蚀所述底部抗反射层；步骤S05：继续向下刻蚀，在所述晶圆中形成浅沟槽隔离结构；步骤S06：在所述浅沟槽隔离结构中沉积氧化膜，并平坦化所述氧化膜顶部。