[发明专利]一种有源区制备方法有效
| 申请号： | 201410174736.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103943555B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 孟祥国;黄君;李全波;崇二敏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有源 制备 方法 | ||
1.一种有源区制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01：在所述晶圆上进行薄膜沉积；
步骤S02：在所述沉积的薄膜表面依次涂覆底部抗反射层和光刻胶，采用光刻工艺，图案化光刻胶；
步骤S03：对所述晶圆的边缘区域进行等离子体处理，去除所述边缘区域的光刻胶和/或底部抗反射层的残留；
步骤S04：以图案化的所述光刻胶为模版，采用所述底部抗反射层相对于其下层薄膜的刻蚀选择比高的气体来刻蚀所述底部抗反射层；
步骤S05：继续向下刻蚀，在所述晶圆中形成浅沟槽隔离结构；
步骤S06：在所述浅沟槽隔离结构中沉积氧化膜，并平坦化所述氧化膜顶部。
2.根据权利要求1所述的有源区制备方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述刻蚀选择比高的气体为HBr和O2的混合气体。
3.根据权利要求2所述的有源区制备方法，其特征在于，所述HBr和O2的比例为5:1至10:1。
4.根据权利要求1所述的有源区制备方法，其特征在于，所述边缘区域为所述晶圆的外边缘向中心偏移0.5-1.7mm的区域以及所述晶圆外边缘的侧面。
5.根据权利要求1所述的有源区制备方法，其特征在于，所述步骤S03中，所采用的等离子体为含O等离子体。
6.根据权利要求1所述的有源区制备方法，其特征在于，所述步骤S03中，所采用的反应气体为CO2。
7.根据权利要求1所述的有源区制备方法，其特征在于，所述步骤S03中，所采用的气体流量为100-200sccm，所采用的反应压强不大于1.9Torr，所采用的反应功率为300-400瓦，所采用的反应时间为10-15秒。
8.根据权利要求1所述的有源区制备方法，其特征在于，所述步骤S06中，采用化学机械抛光法对所述氧化膜顶部进行平坦化处理。
9.一种半导体器件的制备方法，其包括制备有源区和制备接触孔，其特征在于，包括采用权利要求1-8任意一项所述的方法来制备所述有源区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
