[发明专利]静态存储单元的形成方法

摘要

一种静态存储单元的形成方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底的第一区域上有第一鳍部；在半导体衬底上形成隔离层，隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；形成第一伪栅结构和第一侧墙；形成介质层，介质层与第一伪栅结构的表面齐平；在介质层和第一伪栅结构表面形成具有第一开口的掩膜层；沿第一开口去除第一伪栅结构，形成第一凹槽，暴露出第一鳍部的部分表面以及位于第一鳍部两侧的隔离层的表面；沿第一开口去除第一凹槽下方的部分厚度的隔离层，形成第二凹槽，暴露出低于隔离层表面的第一鳍部的部分侧壁；形成填充满第一凹槽和第二凹槽的第一栅极结构。上述方法在不增加晶体管面积的前提下提高晶体管的驱动电流。

主权项

一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有第一鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面，并且覆盖部分第一鳍部的侧壁表面；在所述隔离层上形成横跨所述第一鳍部的第一伪栅结构以及位于所述第一伪栅结构侧壁表面的第一侧墙；在所述隔离层表面形成介质层，所述介质层与第一伪栅结构的表面齐平；在所述介质层和第一伪栅结构表面形成具有第一开口的掩膜层，所述第一开口暴露出第一伪栅结构的顶部表面；沿所述第一开口去除第一伪栅结构，形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出第一鳍部的部分表面以及位于所述第一鳍部两侧的隔离层的表面；沿所述第一开口去除所述第一凹槽下方的部分厚度的隔离层，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出低于隔离层表面的第一鳍部的部分侧壁；形成填充满所述第一凹槽和第二凹槽的第一栅极结构。