[发明专利]静态存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有第一鳍部；

在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面，并且覆盖部分第一鳍部的侧壁表面；

在所述隔离层上形成横跨所述第一鳍部的第一伪栅结构以及位于所述第一伪栅结构侧壁表面的第一侧墙；

在所述隔离层表面形成介质层，所述介质层与第一伪栅结构的表面齐平；

在所述介质层和第一伪栅结构表面形成具有第一开口的掩膜层，所述第一开口暴露出第一伪栅结构的顶部表面；

沿所述第一开口去除第一伪栅结构，形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出第一鳍部的部分表面以及位于所述第一鳍部两侧的隔离层的表面；

沿所述第一开口去除所述第一凹槽下方的部分厚度的隔离层，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出低于隔离层表面的第一鳍部的部分侧壁；

形成填充满所述第一凹槽和第二凹槽的第一栅极结构。

2.根据权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的第一开口宽度小于第一伪栅结构的宽度。

3.根据权利要求2所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一开口的宽度为第一伪栅结构宽度的1/2～4/5。

4.根据权利要求2所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅结构的宽度为20nm～25nm，所述第一开口的宽度为15nm～20nm。

5.根据权利要求2所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的宽度小于第一凹槽的宽度。

6.根据权利要求2所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，去除所述第一伪栅结构的方法包括：沿所述第一开口对第一伪栅结构进行各向异性刻蚀，去除所述第一开口下方的部分第一伪栅结构，暴露出第一鳍部的部分表面；对所述第一开口两侧的掩膜层下方的剩余的第一伪栅结构进行各向同性刻蚀，去除剩余的第一伪栅结构。

7.根据权利要求6所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

8.根据权利要求6所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。

9.根据权利要求6所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅结构包括第一伪栅极，所述第一伪栅极的材料为多晶硅。

10.根据权利要求9所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅结构还包括位于第一鳍部和第一伪栅极之间的第一伪栅介质层，所述第一伪栅介质层的材料为氧化硅。

11.根据权利要求9所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺的参数包括：压力为10毫托～50毫托，功率为500W～750W；CF₄的气体流量为50sccm～200sccm，HBr的气体流量为100sccm～1000sccm；He的气体流量为200sccm～1000sccm，O₂的气体流量为5sccm～20sccm，温度为40℃～80℃，偏置电压为100V～250V。

12.根据权利要求9所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为四甲基氢氧化铵溶液，质量浓度为1％～5％，温度为50℃～80℃。

13.根据权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的第一开口宽度等于第一伪栅结构的宽度。

14.根据权利要求13所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的宽度等于第一凹槽的宽度。

15.根据权利要求13所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀工艺，沿所述第一开口去除第一伪栅结构。

16.根据权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀工艺，沿所述第一开口刻蚀隔离层，去除所述第一凹槽下方的部分厚度的隔离层，形成第二凹槽。