[发明专利]有机发光二极管面板有效
| 申请号： | 201410164716.5 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105023934B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 郑荣安 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种有机发光二极管面板。所述有机发光二极管面板包括基板及设置于基板上的多个挡墙。所述挡墙与基板共同围成多个容置结构。该有机发光二极管面板还定义有多个子像素，各子像素之间被所述挡墙隔开且每一子像素对应一容置结构。每一子像素包括发光材料，所述各子像素的发光材料设置于至各子像素对应的容置结构中。至少一个子像素对应的容置结构还包括高度低于所述挡墙的第一隔板。本发明所提供的有机发光二极管面板能够避免分辨率过高导致的溢出、混色等问题，形成具有高像素密度的有机发光二极管面板。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 面板 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光二极管面板，其包括基板及设置于基板上的多个挡墙，所述挡墙与基板共同围成多个容置结构，该有机发光二极管面板还定义有多个子像素，各子像素之间被所述挡墙隔开且每一子像素对应一容置结构，每一子像素包括发光材料，所述各子像素的发光材料设置于至各子像素对应的容置结构中，其特征在于，至少一个子像素对应的容置结构还包括高度低于所述挡墙的第一隔板，在该至少一个子像素中，发光材料的高度不超过所述第一隔板的高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410164716.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
