[发明专利]有机发光二极管面板有效
申请号: | 201410164716.5 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN105023934B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 郑荣安 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 徐丽昕 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 面板 | ||
一种有机发光二极管面板。所述有机发光二极管面板包括基板及设置于基板上的多个挡墙。所述挡墙与基板共同围成多个容置结构。该有机发光二极管面板还定义有多个子像素,各子像素之间被所述挡墙隔开且每一子像素对应一容置结构。每一子像素包括发光材料,所述各子像素的发光材料设置于至各子像素对应的容置结构中。至少一个子像素对应的容置结构还包括高度低于所述挡墙的第一隔板。本发明所提供的有机发光二极管面板能够避免分辨率过高导致的溢出、混色等问题,形成具有高像素密度的有机发光二极管面板。
技术领域
本发明涉及种有机发光二极管面板。
背景技术
有机发光二极管面板是下一代显示器的发展方向。现有的有机发光二极管面板是由多个像素组成的。如图1所示,每一个像素中均包含分别发出红、绿、蓝光的RGB三个子像素。发出对应颜色的光线的有机发光材料一般是通过喷墨的方式注入基板上的收容槽内。由于发出不同颜色光线的有机发光材料的发光效率不同,为了RGB各子像素的发光强度基本保持一致,RGB各子像素的面积大小与对应有机发光材料的发光效率成反比。即,发光效率最高的红色子像素的像素面积最小,而发光效率最低的蓝色子像素的像素面积最大。
然而,受限于制造工艺,当需要获得较高的像素密度(PPI,pixels per inch)时,子像素的像素面积会小于对应发光材料的液滴的最小直径,使得发光材料的液滴可能无法完全注入这个子像素的挡墙内,或容易造成溢出、混色等问题。因此,现有的有机发光二极管面板的分辨率普遍不高。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种有机发光二极管面板。所述有机发光二极管面板包括基板及设置于基板上的多个挡墙。所述挡墙与基板共同围成多个容置结构。该有机发光二极管面板还定义有多个子像素,各子像素之间被所述挡墙隔开且每一子像素对应一容置结构。每一子像素包括发光材料,所述各子像素的发光材料设置于至各子像素对应的容置结构中。至少一个子像素对应的容置结构还包括高度低于所述挡墙的第一隔板。
相较于现有技术,本发明所提供的有机发光二极管面板能够避免分辨率过高导致的溢出、混色等问题,形成具有高像素密度的有机发光二极管面板。
附图说明
图1示出了现有的有机发光二极管面板的像素。
图2为本发明第一实施例的有机发光二极管面板。
图3为图2中有机发光二极管面板的第一子像素的立体图。
图4为沿图3中V-V曲线的剖面图。
图5示出了图2中有机发光二极管面板中各子像素的尺寸。
图6与图7示出了图5中的第一隔板设置在不同位置的示意图。
图8为本发明第二实施例的有机发光二极管面板。
图9与图10示出了图8中的第一隔板设置在不同位置的示意图。
图11为本发明第三实施例的有机发光二极管面板。
图12为本发明第四实施例的有机发光二极管面板。
图13至图17示出了图12中的第一隔板设置在不同位置的示意图。
图18为本发明第五实施例的有机发光二极管面板。
图19为本发明第六实施例的有机发光二极管面板。
图20为像素密度升高至第三子像素无法滴入液滴时该有机发光二极管面板的设计方式。
主要元件符号说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410164716.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的