[发明专利]用于炉管高温退火工艺的控片、制造方法及监控方法在审
| 申请号： | 201410162796.0 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104078376A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 任川;王智;苏俊铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于炉管高温退火工艺的控片，包括：硅基衬底，以及沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅薄膜层，且所述二氧化硅薄膜层的厚度范围为数值30～50埃中的任一取值。本发明所述用于炉管高温退火工艺的控片通过在所述硅基衬底上淀积膜层厚度范围为数值30～50埃中的任一取值之二氧化硅薄膜层，不仅可以保护所述硅基衬底，使其在高温惰性气氛下不被钝化，并消除晶格损伤，对所述炉管高温退火工艺进行实时监控，而且可采用酸性溶液去除所述控片之二氧化硅薄膜层，并循环使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 炉管 高温 退火 工艺 制造 方法 监控 | ||
【主权项】：
一种用于炉管高温退火工艺的控片，其特征在于，所述用于炉管高温退火工艺的控片，包括：硅基衬底，以及沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅薄膜层，且所述二氧化硅薄膜层的厚度范围为数值30～50埃中的任一取值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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