[发明专利]用于炉管高温退火工艺的控片、制造方法及监控方法

权利要求书

1.一种用于炉管高温退火工艺的控片，其特征在于，所述用于炉管高温退火工艺的控片，包括：硅基衬底，以及沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅薄膜层，且所述二氧化硅薄膜层的厚度范围为数值30～50埃中的任一取值。

2.一种如权利要求1所述用于炉管高温退火工艺的控片之制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：所述二氧化硅薄膜层的淀积工艺为原位蒸汽产生制程(In-situ Steam Generation,ISSG)、快速热氧化工艺(Rapid ThermalOxide,RTO)、炉管生成工艺的其中之一。

3.如权利要求2所述用于炉管高温退火工艺的控片之制造方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜层的淀积工艺为原位蒸汽产生制程(In-situ SteamGeneration,ISSG)。

4.一种如权利要求1所述用于炉管高温退火工艺的控片之监控方法，其特征在于，所述监控方法包括：

执行步骤S1：将所述硅基衬底放置在所述二氧化硅薄膜层的淀积设备中，并淀积膜层厚度范围为数值30～50埃中的任一取值之二氧化硅薄膜层，形成所述控片；

执行步骤S2：将所述控片放置在所述炉管，并与产品硅片组批作业高温退火工艺；

执行步骤S3：高温退火工艺结束后，测量所述控片之表面颗粒数量，并与工艺规格比较，进而判定工艺是否正常；

执行步骤S4：高温退火工艺结束后，测量所述控片之二氧化硅薄膜层的膜层厚度，并与工艺规格比较，进而判定工艺是否正常。

5.如权利要求4所述的用于炉管高温退火工艺的控片之监控方法，其特征在于，所述工艺规格为：所述控片之表面颗粒的粒径大于0.16μm的颗粒数量小于10，当所述控片之表面颗粒的粒径大于0.16μm的颗粒数量小于或等于10时，所述炉管高温退火工艺正常；当所述控片之表面颗粒的粒径大于0.16μm的颗粒数量大于10时，所述炉管高温退火工艺不正常。

6.如权利要求4所述的用于炉管高温退火工艺的控片之监控方法，其特征在于，所述工艺规格为：所述控片之二氧化硅薄膜层的膜层厚度范围为数值30～50埃中的任一取值，当所述二氧化硅薄膜层的膜层厚度范围为数值30～50埃中的任一取值时，所述炉管高温退火工艺正常，否则不正常。

7.如权利要求4所述的用于炉管高温退火工艺的控片之监控方法，其特征在于，所述监控方法还包括：

执行步骤S5：所述控片完成对所述炉管高温退火工艺后，采用酸性溶液去除所述二氧化硅薄膜层，不更改其它工艺参数，对所述控片之硅基衬底循环使用。