[发明专利]一种底部无负载的自对准双层图形的制作方法

摘要

本发明提供一种底部无负载的自对准双层图形的制作方法，包括在底部介质层上依次形成无定形碳膜和硬质掩膜层；采用光刻和刻蚀工艺，图案化硬质掩膜层；以图案化的硬质掩膜层作为掩膜，采用刻蚀工艺刻蚀无定形碳膜，向下刻蚀的高度小于无定形碳膜的厚度；刻蚀去除硬质掩膜层；再次向下刻蚀无定形碳膜，并停止于底部介质层表面；在底部介质层上形成隔离侧墙；去除无定形碳膜，从而形成自对准双层图形。本发明的方法，可以有效避免现有工艺中对底部造成的损伤，能够制备出底部无负载的自对准双层图形。

主权项

一种底部无负载的自对准双层图形的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在底部介质层上依次形成无定形碳膜和硬质掩膜层；步骤S02：采用光刻和刻蚀工艺，图案化所述硬质掩膜层；步骤S03：以图案化的所述硬质掩膜层作为掩膜，采用刻蚀工艺刻蚀所述无定形碳膜，向下刻蚀的高度小于所述无定形碳膜的厚度；向下刻蚀的高度为无定形碳膜厚度的2/3，保留无定形碳膜厚度的1/3；步骤S04：在保留的1/3厚度的无定形碳膜保护底部介质层的情况下，刻蚀去除所述硬质掩膜层；采用氟系气体刻蚀去除所述硬质掩膜层，所述氟系气体为CF4和CH2F2的混合气体，CF4的流量为10‑50sccm，CH2F2的流量为10‑50sccm；步骤S05：采用刻蚀工艺，再次向下刻蚀所述无定形碳膜，并停止于所述底部介质层表面；步骤S06：在所述底部介质层上形成隔离侧墙；步骤S07：去除所述无定形碳膜，从而形成所述的自对准双层图形。