[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积形成衬垫层和硬掩膜层；在衬垫层和半导体衬底中形成第一沟槽，在硬掩膜层中形成第二沟槽，第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度；沉积隔离材料层于半导体衬底上，以完全填充第一沟槽和第二沟槽，并执行化学机械研磨直至露出硬掩膜层；去除硬掩膜层和衬垫层；在隔离材料层两侧的将要形成NMOS区的半导体衬底的上部形成氮化层；对半导体衬底实施预清洗处理，以露出隔离材料层的上部所遮蔽的半导体衬底的部分，并通过热氧化形成栅极氧化层。根据本发明，可以有效抑制反向窄沟道效应，提升NMOS的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积形成衬垫层和硬掩膜层；在所述衬垫层和所述半导体衬底中形成第一沟槽，在所述硬掩膜层中形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；沉积隔离材料层于所述半导体衬底上，以完全填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，并执行化学机械研磨直至露出所述硬掩膜层；去除所述硬掩膜层和所述衬垫层；在所述隔离材料层两侧的将要形成NMOS区的半导体衬底的上部形成氮化层；对所述半导体衬底实施预清洗处理，以露出所述隔离材料层的上部所遮蔽的半导体衬底的部分，并通过热氧化形成栅极氧化层。