[发明专利]一种肖特基势垒二极管器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410160321.8 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103943688B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 沈健 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/26;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基势垒二极管器件结构及其制作方法，所述器件结构包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，结合于所述第一导电类型衬底表面；若干个沟槽结构，包括形成于所述第一导电类型外延层中的沟槽，结合于所述沟槽表面的介质层，以及填充于所述沟槽内的导电材料；第二导电类型掺杂区，形成于各所述沟槽结构的两侧的第一导电类型外延层表层；肖特基金属层，形成于所述第一导电类型外延层表面；以及上电极。本发明通过在沟槽结构两侧增加掺杂区，引入P/N结，降低了该区域的电场，从而降低了反向漏电流；同时，在掺杂区之间引入JFET结构，进一步提高肖特基势垒二极管器件结构的反向击穿电压并降低反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，结合于所述第一导电类型衬底表面；若干个沟槽结构，包括形成于所述第一导电类型外延层中的沟槽，结合于所述沟槽表面的介质层，以及填充于所述沟槽内的导电材料；第二导电类型掺杂区，形成于各所述沟槽结构的两侧的第一导电类型外延层表层；肖特基金属层，形成于所述第一导电类型外延层表面，其中，所述肖特基金属层的材料为Ti、Pt、Ni、Cr、W、Mo或Co，通过退火工艺与所述第一导电类型外延层形成欧姆接触，相邻的两个第二导电类型掺杂区、相邻的两个第二导电类型掺杂区之间的第一导电类型外延层及肖特基金属层组成JFET结构；上电极，形成于所述肖特基金属层表面。
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