[发明专利]直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法

摘要

一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH₃气体；将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH₃气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明不需要使用外来催化剂，没有污染，也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。

主权项

一种直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH₃气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH₃气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH₃和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。