[发明专利]直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法

权利要求书

1.一种直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：

步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；

步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；

步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；

步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH₃气体；

步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH₃气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；

步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH₃和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。

2.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中衬底的材料为Si。

3.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中所述的有机溶液为乙醇和丙酮。

4.如权利要求3所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中所述的超声清洗过程为乙醇超声5分钟后再用丙酮超声5分钟。

5.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中腐蚀所用的氢氟酸溶液质量百分浓度为2％，腐蚀时间为5秒钟，腐蚀后用去离子水清洗干净后用氮气枪吹干。

6.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中衬底第一次升温的温度为630℃，稳定的时间为5分钟。

7.如权利要求1所述的直接在 衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中将衬底第一次降温的设定温度为400℃，第二次升温的温度为510℃，纳米线的生长温度为510℃，稳定时间为5分钟。

8.如权利要求1所述的直接在 衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，其中所述的第一次通入的AsH₃气体的流量为2.0x10^-4mol/min，纳米线生长时AsH₃气体的流量为8.0x10^-5mol/min，TMIn的流量为2.0x10^-6mol/min，TMSb的流量为2.0x10^-5mol/min。