[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一鳍部；在半导体衬底上形成表面与第一鳍部的顶部表面齐平的隔离材料层；对第一鳍部进行迁移率增强离子注入，在第一鳍部的顶端形成注入区；对所述注入区进行局部再结晶处理，使所述注入区成为包含注入离子的单晶半导体层，所述单晶半导体层的空穴迁移率大于所述单晶半导体层下方的第一鳍部的空穴迁移率；刻蚀所述隔离材料层，形成表面与单晶半导体层的底面齐平的隔离层；形成横跨所述单晶半导体层的第一栅极结构。所述方法能够提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成凸起的第一鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖第一鳍部的侧壁表面，并且所述隔离材料层的表面与所述第一鳍部的顶部表面齐平；对所述第一鳍部进行迁移率增强离子注入，在第一鳍部的顶端形成注入区，所迁移率增强离子注入的注入离子用于增强空穴的迁移率；对所述注入区进行局部再结晶处理，使所述注入区成为包含注入离子的单晶半导体层，所述单晶半导体层的空穴迁移率大于所述单晶半导体层下方的第一鳍部的空穴迁移率，其中，所述局部再结晶处理的方法为激光熔融退火工艺，以消除所述注入区与第一鳍部接触面上的射程末端缺陷，提高形成的单晶半导体层与第一鳍部之间的界面质量；刻蚀所述隔离材料层，形成隔离层，使所述隔离层的表面与单晶半导体层的底面齐平；形成横跨所述单晶半导体层的第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖部分单晶半导体层和部分隔离层。