[发明专利]一种基于外延层转移实现N面GaN的方法

摘要

本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，包括：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转速1000rpm‑5000rpm，时间为30‑60秒；3）将Si基GaN、半导体圆片正面朝上放在热板上烘烤，热板温度100‑110摄氏度；4）Si基GaN、半导体圆片在室温下冷却后，将Si基GaN、半导体圆片正面相对在温度为180‑250摄氏度的条件下键合。优点：利用粘附剂键合的方法将Si基GaN外延层转移得到N面GaN，其工艺简单，打破了原有外延生长难度大以及质量差的限制。

主权项

一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，其特征是该方法包括以下步骤：将Si基GaN圆片和Si圆片浸泡在稀释的盐酸中漂洗30‑60秒钟，再用去离子水清洗，用氮气吹干，最后放在烘箱中彻底烘干水分，保证表面清洁干燥；在Si圆片正面上旋涂粘附剂，转速为3000转/秒，加速度为5000转/秒，旋涂时间为60秒；在Si基GaN圆片正面旋涂粘附剂，转速为3000转/秒，加速度为5000转/秒，旋涂时间为60秒；将涂好粘附剂的Si基GaN圆片和Si圆片的正面朝上放热板上，热板温度为100‑110摄氏度，烘片时间2分钟；将Si基GaN圆片和Si圆片从热板上取出，室温下自然冷却后正面相对叠在一起，使Si基GaN圆片和Si圆片完全重叠，边缘整齐;用夹具固定好放入键合机进行键合，键合温度为180‑250摄氏度，键合时间为1‑2小时；键合好后在Si圆片的支撑下对Si基GaN的Si衬底完成背面减薄，磨到50‑100um，利用干法把剩余Si衬底刻蚀掉，得到了N面GaN。