[发明专利]一种基于外延层转移实现N面GaN的方法有效
| 申请号： | 201410132530.1 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103943459B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吴立枢;赵岩;程伟;刘昊;石归雄 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 转移 实现 gan 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，其特征是该方法包括以下步骤：
1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN圆片和半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；
2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转速1000rpm-5000rpm，时间为30-60秒；
3）将Si基GaN圆片和半导体圆片正面朝上放在热板上烘烤2~5分钟，热板温度100-110摄氏度；
4）待Si基GaN圆片和半导体圆片在室温下自然冷却后，将Si基GaN圆片和半导体圆片正面相对在温度为180-250摄氏度的条件下键合；
5）将Si基GaN圆片的Si衬底刻蚀去除。
2.根据权利要求1所述的一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，其特征是所述的采用半导体圆片作为承接载体，将Si基GaN圆片通过粘附剂键合到半导体圆片上；利用干法刻蚀去除Si衬底材料；最后得到N面GaN。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
