[发明专利]一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法

摘要

本发明公开了一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法，其中，所述制作方法包括：形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离；去除部分硬掩膜层结构，露出所述浅沟槽隔离的第一部分；横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；去除剩余部分硬掩膜层结构；在所述有源区中形成阱区，然后去除所述衬垫氧化层结构，得到所述浅沟槽隔离间的第一沟槽；在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅。本发明可以使形成在浅沟槽隔离间的第一沟槽的开口增大并可以使其深宽比减小，因而可以防止在第一沟槽中形成浮栅时出现空洞，从而可以提高ETOX结构的闪存的良品率。

主权项

1.一种ETOX结构的闪存的浮栅的制作方法，其特征在于，包括：形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离；去除部分硬掩膜层结构，露出所述浅沟槽隔离的第一部分，其中，剩余部分硬掩膜层结构完全覆盖所述衬垫氧化层结构；横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；去除剩余部分硬掩膜层结构；在所述有源区中形成阱区，然后去除所述衬垫氧化层结构，得到所述浅沟槽隔离间的第一沟槽；在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅；其中，所述硬掩膜层结构的材料为氮化硅，去除部分硬掩膜层结构和去除剩余部分硬掩膜层结构所用的腐蚀溶液均为磷酸溶液，所述浅沟槽隔离的材料为二氧化硅，横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分所用的腐蚀溶液为稀氢氟酸，所述衬垫氧化层结构的材料为二氧化硅。