[发明专利]一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法

说明书

本发明公开了一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法，其中，所述制作方法包括：形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离；去除部分硬掩膜层结构，露出所述浅沟槽隔离的第一部分；横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；去除剩余部分硬掩膜层结构；在所述有源区中形成阱区，然后去除所述衬垫氧化层结构，得到所述浅沟槽隔离间的第一沟槽；在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅。本发明可以使形成在浅沟槽隔离间的第一沟槽的开口增大并可以使其深宽比减小，因而可以防止在第一沟槽中形成浮栅时出现空洞，从而可以提高ETOX结构的闪存的良品率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法。

背景技术

ETOX（EPROM with Tunnel Oxide或者Erasable Programmable Read OnlyMemory with Tunnel Oxide，可擦除可编程只读寄存器隧道氧化层）结构的闪存属于一种非易失性闪存，其特点是应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统随机存储器中，从而使其具有较高的传输效率，因此，该结构的闪存的应用比较广泛。

现有ETOX结构的闪存的工艺在65nm节点，并且大部分此结构的闪存的多晶硅(Polysilicon)浮栅(Floating Gate)是采用有源区（Active Area）自对准（Self-Alignment）的方式来形成。这种方式是在去除有源区上的硬掩膜层（Hard Mask）结构的同时保留两侧的浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，简称STI)以形成由有源区定义的沟槽，这样可以在沟槽内沉积多晶硅形成浮栅，换句话说，该沟槽可以决定后续由多晶硅形成浮栅的区域以及形状。如果沟槽深宽比过大，会导致多晶硅在沟槽内形成空洞（Void）,从而会使相应的ETOX结构的闪存的良品率降低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种ETOX结构的闪存的浮栅及其制作方法，以解决现有技术中形成浮栅的沟槽的深宽比过大而造成ETOX结构的闪存的良品率降低的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供一种ETOX结构的闪存的浮栅的制作方法，包括：

形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离；

去除部分硬掩膜层结构，露出所述浅沟槽隔离的第一部分；

横向去除部分所述浅沟槽隔离的第一部分；

去除剩余部分硬掩膜层结构；

在所述有源区中形成阱区，然后去除所述衬垫氧化层结构，得到所述浅沟槽隔离间的第一沟槽；

在所述第一沟槽内依次形成隧道氧化层以及浮栅。

进一步地，在形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离之前，包括：

在衬底上依次形成衬垫氧化层、硬掩膜层。

进一步地，形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构、有源区以及浅沟槽隔离，包括：

在所述硬掩膜层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行光刻，露出部分所述硬掩膜层；

刻蚀露出的硬掩膜层、衬垫氧化层以及部分衬底，刻蚀掉的部分形成第二沟槽，未被刻蚀掉的硬掩膜层、衬垫氧化层以及衬底分别形成硬掩膜层结构、衬垫氧化层结构以及有源区；

去除所述光刻胶层；

填充所述第二沟槽，并得到所述浅沟槽隔离。

进一步地，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

进一步地，去除部分硬掩膜层结构和去除剩余部分硬掩膜层结构所用的腐蚀溶液均为磷酸溶液。