[发明专利]一种沟槽型半导体器件结构的制作方法有效
| 申请号： | 201410128233.X | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104979196B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张冠杰;张哲;徐昊;刘义 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型半导体器件结构的制作方法，包括步骤：1）提供具有沟槽结构的硅衬底，所述沟槽结构包括沟槽、栅氧层以及多晶硅层；2）去除位于顶部的部分栅氧层形成第一深度的凹槽，所述凹槽侧壁露出有硅衬底及多晶硅层；3）进行退火工艺，于所述硅衬底及多晶硅层表面形成第一厚度的第一热氧化层，同时，所述凹槽内露出的硅衬底及多晶硅层被氧化形成充满所述凹槽且高出所述凹槽的第二热氧化层；4）湿法腐蚀所述第一热氧化层及第二热氧化层，直至将所述第一热氧化层减薄至第二厚度；5）沉积ILD绝缘介质层。本发明可以有效避免ILD绝缘介质层沉积时孔洞的产生，避免了由于孔洞而导致的漏电流的产生，提高了器件的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1）提供具有沟槽结构的硅衬底，所述沟槽结构包括形成于所述硅衬底中的沟槽、结合于所述沟槽内表面的栅氧层以及填充于所述栅氧层内的多晶硅层；2）去除位于顶部的部分栅氧层形成第一深度的凹槽，所述凹槽侧壁露出有硅衬底及多晶硅层；3）进行退火工艺，于所述硅衬底及多晶硅层表面形成第一厚度的第一热氧化层，同时，所述凹槽内露出的硅衬底及多晶硅层被氧化形成充满所述凹槽且高出所述凹槽的第二热氧化层；4）湿法腐蚀所述第一热氧化层及第二热氧化层，直至将所述第一热氧化层减薄至第二厚度；5）沉积ILD绝缘介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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