[发明专利]一种沟槽型半导体器件结构的制作方法有效
| 申请号： | 201410128233.X | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104979196B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张冠杰;张哲;徐昊;刘义 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体器件 结构 制作方法 | ||
1.一种沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）提供具有沟槽结构的硅衬底，所述沟槽结构包括形成于所述硅衬底中的沟槽、结合于所述沟槽内表面的栅氧层以及填充于所述栅氧层内的多晶硅层；
2）去除位于顶部的部分栅氧层形成第一深度的凹槽，所述凹槽侧壁露出有硅衬底及多晶硅层；
3）进行退火工艺，于所述硅衬底及多晶硅层表面形成第一厚度的第一热氧化层，同时，所述凹槽内露出的硅衬底及多晶硅层被氧化形成充满所述凹槽且高出所述凹槽的第二热氧化层；
4）湿法腐蚀所述第一热氧化层及第二热氧化层，直至将所述第一热氧化层减薄至第二厚度；
5）沉积ILD绝缘介质层。
2.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤2）采用湿法腐蚀工艺去除位于顶部的部分栅氧层形成第一深度的凹槽。
3.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤2）所述第一深度的范围为300～500埃。
4.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤3）所述第一厚度的范围为600～800埃。
5.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤4）所述第二厚度的范围为100～250埃。
6.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤3）所述退火工艺的气氛为O2气氛。
7.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤3）所述退火工艺的退火温度范围为900～1200℃。
8.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤3）所述退火工艺的退火时间范围为80～120min。
9.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：步骤5）采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述ILD绝缘介质层。
10.根据权利要求1所述的沟槽型半导体器件结构的制作方法，其特征在于：所述ILD绝缘介质层的材料为二氧化硅。
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