[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201410120345.0 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103943721A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高濂;王静;张鹏;宋雪峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)配制前驱液：将氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫脲共同溶解到甲醇或者乙醇中，搅拌直至溶液澄清透明；(2)将基底FTO分别在丙酮、乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗；(3)将所述前驱液旋涂到所述基底FTO的表面，然后进行干燥；(4)将步骤(3)得到的样品置于氮气或氩气中煅烧，得到铜锌锡硫薄膜。本发明铜锌锡硫薄膜的制备方法简单易行，适合大规模生产；所制得的铜锌锡硫薄膜表面平整且无裂纹、性能优良、光电化学性能好、化学稳定性高，可广泛用于半导体纳米薄膜的生产以及光电催化领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫 薄膜 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)配制前驱液：将氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫脲共同溶解到甲醇或者乙醇中，搅拌直至溶液澄清透明；(2)将基底FTO分别在丙酮、乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗；(3)将所述前驱液旋涂到所述基底FTO的表面，然后进行干燥；(4)将步骤(3)得到的样品置于氮气或氩气中煅烧，得到铜锌锡硫薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410120345.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
- 下一篇：一种全光谱COB光源
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
