[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途在审
申请号: | 201410120345.0 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103943721A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 高濂;王静;张鹏;宋雪峰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)配制前驱液:将氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫脲共同溶解到甲醇或者乙醇中,搅拌直至溶液澄清透明;
(2)将基底FTO分别在丙酮、乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗;
(3)将所述前驱液旋涂到所述基底FTO的表面,然后进行干燥;
(4)将步骤(3)得到的样品置于氮气或氩气中煅烧,得到铜锌锡硫薄膜。
2.如权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,以摩尔计,所述氯化铜:氯化锌:氯化亚锡:硫脲=0.5~2:1:0.5~1:4~20。
3.如权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述超声清洗的时间为5~30分钟。
4.如权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,所述旋涂的速率为300~3500转/分钟,所述旋涂的时间为5~120秒。
5.如权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,所述干燥的温度为100-200℃。
6.如权利要求5所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,所述干燥的时间为5~30分。
7.如权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)重复两次以上。
8.如权利要求1所述的铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,在所述步骤(4)中,所述煅烧的温度为200-600℃,所述煅烧的时间为1小时。
9.一种根据权利要求1-8所述的制备方法制得的铜锌锡硫薄膜,其特征在于,所述铜锌锡硫薄膜致密性好、表面平整均匀且无裂纹;所述铜锌锡硫薄膜的能带为1.5eV。
10.一种使用权利要求9所述的铜锌锡硫薄膜制备铜锌锡硫/硫化镉/二氧化碳薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)用碘化镉、氯化镉或醋酸镉作为镉源,硫脲作为硫源,氨水作为络合剂,并加入适量缓冲剂,配制成硫化镉的化学浴水溶液;
(2)将所述铜锌锡硫薄膜浸泡在所述硫化镉的化学浴水溶液中,油浴加热至60~90℃,保温5~35分钟后将所述铜锌锡硫薄膜取出,用足量的去离子水和乙醇冲洗并且吹干,在100~300℃下煅烧30分钟,得到铜锌锡硫/硫化镉薄膜;
(3)将步骤(2)中得到的铜锌锡硫/硫化镉薄膜放入原子层沉积设备中,在100~250℃下保温30~300分钟,得到铜锌锡硫/硫化镉/二氧化钛薄膜。
其中,在步骤(1)中,以摩尔计,所述镉源:硫源=1:1~10,所述硫化镉的化学浴水溶液呈碱性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的