[发明专利]一种具有超结结构的IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201410116773.6 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104779276B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 杨凡力 | 申请（专利权）人： | 上海提牛机电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 31105 上海智力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 201405*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超结结构的IGBT，所述具有超结结构的IGBT包括集电极、漂移区、P型基极区和N型发射极区，所述P型基极区和N型发射极区内设有栅沟槽，所述栅沟槽内设有栅电极，在所述栅沟槽底部与所述集电极之间设有P型区域，所述P型区域分别与所述栅沟槽底部和所述集电极相连，所述相邻P型区域之间以绝缘介质填充。本发明还公开了一种制备具有超结结构的IGBT的制备方法。本发明提供的具有超结结构的IGBT，能够产生横向电场从而提高器件的击穿电压和降低饱和压降；本发明提供的一种具有超结结构的IGBT制备方法具有加工时间短的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超结结构的IGBT，其特征在于，所述具有超结结构的IGBT包括集电极、P+型集电极区层、漂移区、P型基极区和N型发射极区，所述P型基极区和N型发射极区内设有栅沟槽，所述栅沟槽内设有栅电极，在所述栅沟槽底部与所述P+型集电极区层之间设有P型区域，所述P型区域分别与所述栅沟槽底部和所述P+型集电极区层相连，相邻所述P型区域之间以绝缘介质填充；/n所述具有超结结构的IGBT的制备方法步骤如下：/n步骤一：依次在p+型集电极区层衬底(100)的主表面上外延生长N+型buffer缓冲层(200)和N-型漂移层(300)；/n步骤二：继续在N-型漂移层(300)上延伸制作P-型基极层(400)和N+发射极层(500)；/n步骤三：从N+发射极层腐蚀至P+型集电极区层形成沟槽；/n步骤四：采用大离子角度注入的方式在沟槽侧壁注入P型离子形成P型区域；/n步骤五：采用绝缘介质填充好沟槽；/n步骤六：在填充好的沟槽上继续刻蚀较大的栅沟槽；/n步骤七：在栅沟槽内加入栅氧化层和栅电极。/n
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