[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410116734.6 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104112772B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 牧山刚三 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件的实施方案包括衬底；在衬底之上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；覆盖化合物半导体堆叠结构的钝化膜；在化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及含Si‑C键并且包含源电极与漏电极之间的部分的含Si‑C键的膜。该部分与化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分或者钝化膜的上表面的至少一部分接触。本发明还涉及包括所述化合物半导体器件的一种电源设备和一种放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；所述衬底上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；覆盖所述化合物半导体堆叠结构的钝化膜；在所述化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及含Si‑C键的膜，所述含Si‑C键的膜包含Si‑C键并且包括在所述源电极和所述漏电极之间的部分，所述钝化膜形成在所述含Si‑C键的膜上方，以及所述部分沿厚度方向在所述栅电极的在所述漏电极一侧的端部与所述化合物半导体堆叠结构之间并且与所述化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分接触，其中所述化合物半导体堆叠结构含镓原子，并且所述化合物半导体堆叠结构中的所述镓原子经由氧原子而与所述含Si‑C键的膜中的硅原子键合。
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