[发明专利]单晶4H‑SiC衬底及其制造方法

摘要

本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H‑SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H‑SiC体材料单晶衬底（1）。在4H‑SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H‑SiC层（3）。单晶4H‑SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部（2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。

主权项

一种单晶4H‑SiC衬底的制造方法，其特征在于，包括：准备具有平坦性的4H‑SiC体材料单晶衬底的工序；以及在所述4H‑SiC体材料单晶衬底上外延生长具有凹部的第一单晶4H‑SiC层的工序，所述第一单晶4H‑SiC层的膜厚为X[μm]时，X是0.05～10，所述凹部的直径Y[μm]是0.2×X以上、2×X以下，且所述凹部的深度Z[μm]是(0.95×X+0.5)×10‑3以上、10×X×10‑3以下。