[发明专利]单晶4H‑SiC衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201410112911.3 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078331B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;川津善平;富田信之;田中贵规;三谷阳一郎;浜野健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 衬底 及其 制造 方法 | ||
1. 一种单晶4H-SiC衬底的制造方法，其特征在于，包括：
准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底的工序；以及
在所述4H-SiC体材料单晶衬底上外延生长具有凹部的第一单晶4H-SiC层的工序，
所述第一单晶4H-SiC层的膜厚为X[μm]时，所述凹部的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且所述凹部的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。
2. 根据权利要求1所述的单晶4H-SiC衬底的制造方法，其特征在于：形成所述第一单晶4H-SiC层时，以所述凹部在所述第一单晶4H-SiC层的生长表面形成的方式设定生长炉内的压力和温度。
3. 根据权利要求1或2所述的单晶4H-SiC衬底的制造方法，其特征在于：所述第一单晶4H-SiC层表面的所述凹部的密度为10个/cm2以上。
4. 根据权利要求1或2所述的单晶4H-SiC衬底的制造方法，其特征在于还包括：在所述第一单晶4H-SiC层上以填埋所述凹部的方式外延生长第二单晶4H-SiC层的工序。
5. 一种单晶4H-SiC衬底，其特征在于，包括：
4H-SiC体材料单晶衬底；以及
在所述4H-SiC体材料单晶衬底上通过外延生长形成的、具有凹部的第一单晶4H-SiC层，
所述第一单晶4H-SiC层的膜厚为X[μm]时，所述凹部的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且所述凹部的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。
6. 根据权利要求5所述的单晶4H-SiC衬底，其特征在于：所述第一单晶4H-SiC层表面的所述凹部的密度为10个/cm2以上。
7. 根据权利要求5或6所述的单晶4H-SiC衬底，其特征在于还包括：在所述4H-SiC体材料单晶衬底上以填埋所述凹部的方式通过外延生长形成的第二单晶4H-SiC层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410112911.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪
- 下一篇：离子注入后的清洗方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
