[发明专利]抑制瞬态增强扩散以提高集成电路器件性能的方法在审
| 申请号： | 201410106486.7 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104934326A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 钮锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制瞬态增强扩散以提高集成电路器件性能的方法，所述方法包括：在一半导体衬底上进行半导体器件的制备工艺，该半导体器件的制备工艺包括依次进行的关键离子注入工艺步骤和针对该关键离子注入工艺步骤进行的热处理工艺，且该热处理工艺不包括激光退火工艺；其中，在所述关键离子注入工艺步骤之后，且在所述热处理工艺步骤之前，进行激光退火工艺，以抑制瞬态增强扩散效应。本发明能够降低因关键离子注入工艺而注入的离子在器件中的扩散程度，从而在很大程度上避免了瞬态增强扩散效应，同时使得总的热预算保持合理。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 瞬态 增强 扩散 提高 集成电路 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高集成电路器件性能的方法，其特征在于，所述方法包括：在一半导体衬底上进行半导体器件的制备工艺，该半导体器件的制备工艺包括依次进行的关键离子注入工艺步骤和针对该关键离子注入工艺步骤进行的热处理工艺，且该热处理工艺不包括激光退火工艺；其中，在所述关键离子注入工艺步骤之后，且在所述热处理工艺步骤之前，进行激光退火工艺，以抑制瞬态增强扩散效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
