[发明专利]抑制瞬态增强扩散以提高集成电路器件性能的方法

权利要求书

1.一种提高集成电路器件性能的方法，其特征在于，所述方法包括：

在一半导体衬底上进行半导体器件的制备工艺，该半导体器件的制备工艺包括依次进行的关键离子注入工艺步骤和针对该关键离子注入工艺步骤进行的热处理工艺，且该热处理工艺不包括激光退火工艺；

其中，在所述关键离子注入工艺步骤之后，且在所述热处理工艺步骤之前，进行激光退火工艺，以抑制瞬态增强扩散效应。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

于半导体衬底上依次进行第一次外延离子注入、第二次外延离子注入和第一次激光退火工艺，以及栅极侧墙隔离制备工艺后，进行至少一次所述关键离子注入工艺步骤，且于每次所述关键离子注入工艺步骤后均进行所述激光退火工艺和所述热处理工艺。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次外延离子注入为P型外延离子注入，待所述第一次外延离子注入完成后形成P外延。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二次外延离子注入为N型外延离子注入，待所述第二次外延离子注入完成后形成N外延。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述热处理工艺之后再次进行激光退火工艺。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述关键离子注入工艺包括核心器件光晕注入、核心器件外延注入、静态随机存储器件光晕注入、静态随机存储器件外延注入、P型源漏注入、N型源漏注入中的任意一种或多种。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺包括炉管退火、快速热退火、炉管薄膜热生长、炉管薄膜沉积、炉管薄膜外延生长中的任意一种或多种。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述炉管薄膜外延生长和所述外延生长的环境温度均大于500℃。

9.一种提高集成电路器件性能的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半导体衬底；

对所述半导体衬底上进行至少一次关键离子注入工艺后，且于每次所述关键离子注入工艺后，均至少进行一次激光退火工艺，并继续对所述半导体衬底进行热处理工艺；

其中，所述热处理工艺不包括激光退火工艺。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，首次对所述半导体衬底进行的所述关键离子注入工艺为源漏离子注入工艺。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述衬底包括P外延、N外延、栅极、栅极侧墙。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述P外延由一第一外延离子注入工艺形成，所述N外延由一第二外延离子注入工艺形成；

所述第二外延离子注入工艺位于所述第一外延离子注入工艺之后进行。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述源漏离子注入工艺为N型源漏离子注入工艺。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述源漏离子注入工艺为P型源漏离子注入工艺。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述关键离子注入工艺包括核心器件光晕注入、核心器件外延注入、静态随机存储器件光晕注入、静态随机存储器件外延注入、P型源漏注入、N型源漏注入中的任意一种或多种。

16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺包括炉管退火、快速热退火、炉管薄膜热生长、炉管薄膜沉积、炉管薄膜外延生长中的任意一种或多种。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述炉管薄膜外延生长和所述外延生长的环境温度均大于500℃。