[发明专利]一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法有效
| 申请号： | 201410098538.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103964374A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法，包括：步骤S1：对沉积在所述硅基衬底上的氮化钽层进行刻蚀；步骤S2：对所述光阻层进行灰化处理；步骤S3：对所述光阻层进行湿法剥离；步骤S4：对所述再沉积聚合物进行离子束刻蚀；步骤S5：对所述NiFe层进行离子束刻蚀。本发明去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法通过先后对所述再沉积聚合物进行0°＜α＜30°的Ar离子束刻蚀和对所述NiFe层进行90°＜β＜150°的Ar离子刻蚀，便可有效的去除所述MEMS传感器在制造过程中形成的再沉积聚合物，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 mems 传感器 沉积 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：对沉积在所述硅基衬底上的氮化钽层进行刻蚀；执行步骤S2：对所述光阻层进行灰化处理；执行步骤S3：对所述光阻层进行湿法剥离；执行步骤S4：对所述再沉积聚合物进行离子束刻蚀；执行步骤S5：对所述NiFe层进行离子束刻蚀。
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