[发明专利]背栅极式非易失性内存单元有效
| 申请号： | 201410097860.1 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051468B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 林启荣;陈健民;郭克文 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/792;H01L21/336;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及背栅极式非易失性内存单元，提出内存装置及其制作方法。内存装置包括衬底及形成于衬底之上的内存单元。内存单元包括单晶体管。单晶体管包括位于衬底之上作用为控制栅极的第一栅极，以及内嵌于衬底中作用为选择栅极的第二栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 式非易失性 内存 单元 | ||
【主权项】：
一种内存装置，其包含：衬底包含顶部或本体衬底与底部或基础衬底；以及布置于该衬底之上的内存单元，其中该内存单元包含单晶体管，该单晶体管包括布置于该顶部或本体衬底之上作用为控制栅极的第一栅极、以及布置于该底部或基础衬底中作用为选择栅极的第二栅极；其中该第二栅极包括第二极性掺杂背栅极控制层于第一极性带部/井部上方，该第一极性带部/井部是布置于该底部或基础衬底上方及内部，用以隔离该第二极性掺杂背栅极控制层。
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