[发明专利]形成高电子迁移率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201410095340.7 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051236A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | A·萨利赫;小J·M·帕西 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335;H01L29/04;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及形成高电子迁移率半导体器件的方法。在实施例中，通过包含提供第一半导体材料的基础基板，以及在基础基板上形成SiC或者III-V系材料之一的层的方法，形成半导体器件。在不同实施例中，基础基板可以是硅，多孔硅，或者其上形成有成核位点的多孔硅，或者在(111)面中的硅。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电子 迁移率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成高电子迁移率HEM器件的方法，包括：提供包含硅的第一半导体材料的基础基板；覆在所述基础基板上形成GaN或者SiC或者其他III‑N或者III‑V或者II‑VI系材料之一的层；在所述层与下层材料的界面附近形成脆性区域；从所述基础基板分离所述层的一部分；将所述层的所述一部分附接至中间基板；以及在所述层的所述一部分中形成所述HEM器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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