[发明专利]形成高电子迁移率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201410095340.7 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051236A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | A·萨利赫;小J·M·帕西 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335;H01L29/04;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 电子 迁移率 半导体器件 方法 | ||
技术领域
本发明一般而言涉及电子器件，更具体而言，涉及半导体及其结构、以及形成半导体器件的方法。
背景技术
以往，半导体产业利用各种方法来形成使用了III系半导体材料、诸如氮化镓(GaN)作为半导体材料之一的半导体器件。该器件通常地形成在GaN基板上。然而，GaN比较昂贵，结果导致对于半导体器件而言成本高。
从而，期望的是具有成本低的使用GaN或者其他III-V系和/或II-VI系材料、诸如III族氮化物系材料的半导体器件。
附图说明
图1概要地示出依据本发明的可能对于形成GaN有用的晶体结构的实施例的示例；
图2概要地示出依据本发明的GaN和硅的晶体结构的实施例的示例；
图3-图5示出依据本发明的形成GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的方法的实施例的示例的部分中的各个阶段；
图6示出依据本发明的纳米多孔硅的各种图像；
图7-图12示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的实施例的示例的部分中的各个阶段；
图13-图15示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的另一个实施例的示例的部分中的各个阶段；
图16-图19示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的替代实施例的示例的部分中的各个阶段；
图20-图21示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的另一个替代实施例的示例的部分中的各个阶段；
图22-图24示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的另一个替代实施例的示例的部分中的各个阶段；
图25示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的另一个替代实施例；
图26-图28示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的另一个替代实施例的示例的部分中的各个阶段；以及
图29-图31示出依据本发明形成包含GaN或者SiC半导体器件或者其他III-V或者II-VI系半导体器件的HEM器件的方法的另一个替代实施例的示例的部分中的各个阶段。
具体实施方式
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