[发明专利]电阻结构及其形成方法

摘要

一种电阻结构及其形成方法，所述电阻结构的形成方法包括：提供基底，包括金属互连结构和包围所述金属互连结构的介质层；在所述第一金属插塞、第二金属插塞和介质层表面形成第一金属层和位于所述第一金属层表面的绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行图形化，形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层之间断开；在所述第一金属层、第一绝缘层和第二绝缘层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成图形化掩膜层；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀第二金属层、第一金属层，在第一区域形成电容，同时在第二区域形成金属电阻。上述方法可以减少形成金属电阻的工艺步骤，减低工艺成本。

主权项

一种电阻结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底包括金属互连结构和包围所述金属互连结构的介质层，所述金属互连结构包括若干分立的第一金属插塞和第二金属插塞，所述第一金属插塞位于第一区域，第二金属插塞位于第二区域，所述第一金属插塞和第二金属插塞的表面和介质层的表面齐平；在所述第一金属插塞、第二金属插塞和介质层表面形成第一金属层和位于所述第一金属层表面的绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行图形化，在所述第一区域上方形成第一绝缘层，在第二区域上方形成第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层之间断开；在所述第一金属层、第一绝缘层和第二绝缘层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层覆盖位于第一绝缘层上方的第二金属层，暴露出位于第二绝缘层上方的第二金属层的表面；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀第二金属层、第一金属层，在第一区域的第一金属插塞上形成电容，并且在刻蚀完第二金属层后以第二绝缘层为掩模层，阻止对第二绝缘层下方的第一金属层的刻蚀，在第二区域的第二金属插塞上形成金属电阻。