[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于制造薄膜太阳能电池（诸如CIS基薄膜太阳能电池）中的吸收层（诸如CIS基吸收层）的方法。一种方法包括硒化步骤、退火步骤和硫化步骤。另一种方法包括退火步骤和硫化步骤。此外，与传统的吸收层相比，的表面与底部的镓的比率更大，并且与传统的吸收层相比，本发明的CIS基吸收层的硫与硫加硒的比率更小。本发明也提供了一种用于在较大面积上方产生吸收层（诸如CIS基吸收层）的工艺，其中，通过更好的深度组分分布（通过可控的镓扩散/硫掺入和增大的晶粒尺寸），该层能够同时实现高开路电压和高填充因数。

主权项

一种用于制造器件的吸收层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供包括位于衬底上的前体膜和金属背电极层的对象；(b)在第一温度“T1”下对所述对象实施持续第一时间段“Δt1”的第一工艺，0分钟＜Δt1≤300分钟；(c)在第二温度“T2”下对所述对象实施持续第二时间段“Δt2”的第二工艺，其中，所述第二工艺包括将所述对象保持在惰性气体环境中，并且其中，T1≤T2，0分钟＜Δt2≤300分钟；以及(d)在第三温度“T3”下对所述对象实施持续第三时间段“Δt3”的第三工艺，0分钟＜Δt3≤300分钟。